Applications of inorganic materials in the electronics industry have spurred activity in the area of chemical vapor deposition (CVD). This article discusses the increasingly sophisticated design strategies for precursor complexes through a series of case studies on CVD of metal oxide.

Download PDF

References

1. Meese-Marktscheffel, J. A.; Fukuchi, R.; Kido, M.; Tachibana, G.; Jensen, C. M.; Gilje, J.W. Chem. Mater. 1993, 5, 755.
2. G. Vellianitis, G. Apostopoulos, G. Mavrou, K. Argyropoulos, 1.A. Dimoulas, J. C. Hooker, T. Conard and M. Butsher, Mater. Sci. Eng. B, 2004, 109, 85.
3. E. Sader, H. Schmidt, K. Hradil and W. Wersing, Supercond. Sci. Technol., 1991, 4, 371.
4. S. S. Group, M. Paranthaman, D. B. Beach, E. D. Specht and R. K. Williams, J. Mater. Res.,1997, 12, 1017.
5. D.-J. Won, C.-H. Wang and D.-J. Choi, Jpn. J. Appl. Phys., 2001, 40, L1235.
6. M. F.Ng andM. J.Cima, J. Mater. Res., 1997, 12, 1306.
7. C. M. Carlson, J. C. Price, P. A. Parilla, D. S. Ginley, D. Niles, R. D. Blaugher, A. Goyal, M. Paranthaman, D. M. Kroeger and D. K. Christen, Physica C, 1998, 304, 82.
8. G. D. Wilk, R. M. Wallace and J. M. Anthony, J. Appl. Phys., Appl. Phys. Rev., 2001, 89, 5243.
9. A. Chin, Y. H. Wu, S. B. Chen, C. C. Liao and W. J. Chen, Symp. VLSI Technol., Dig.Tech. Pap., 20th, 2000, 16.
10. T. Gougousi, D. Niu, R. W. Ashcraft and G. N. Parsons, Appl. Phys. Lett., 2003, 83, 3543.
11. M. Nieminen, M. Putkonen and L. Niinisto¨, Appl. Surf. Sci., 2001, 174, 155.
12. J.-B. Cheng, A.-D. Li, Q.-Y. Shao, H.-Q. Ling, D. Wu, Y. Wang, Y.-J. Bao, M. Wang, Z.-G.Liu and N.-B. Ming, Appl. Surf. Sci., 2004, 233, 91.
13. B.-E. Park and H. Ishiwara, Appl. Phys. Lett., 2001, 79, 806.
14. J.-P. Maria, D. Wicksana, A. I. Kingon, B. Busch, H. Schulte, E. Garfunkel and T.Gustaffson, J. Appl. Phys., 2001, 90, 3476.
15. L. F. Edge, D. G. Schlom, R. T. Brewer, Y. J. Chabal, J. R. Williams, S. A. Chambers, C. Hinkle, G. Lucovsky, Y. Yang, S. Stemmer, M. Copel, B. Hollander and J. Schubert, Appl.Phys. Lett., 2004, 84, 4629.
16. X. Lu, Z. Liu, Y. Wang,Y.Yang, X. Wang,H. Chou and B. Nguyen, J. Appl. Phys., 2003, 94,1229.
17. E. Sader, H. Scmidt, K. Hradil and W. Wersing, Supercond. Sci. Technol., 1991, 4, 371.
18. S. S. Group, M. Paranthaman, D. B. Beach, E. D. Specht and R. K. Williams, J. Mater. Res.,1997, 12, 1017.
19. B. S. Lim, A. Rahtu, P. de Rouffignac and R. G. Gordon, Appl. Phys. Lett., 2004, 84, 3957.
20. K. Kukli, M. Ritala, V. Pore, M. Leskala¨, T. Sajavaara, R. I. Hegde, D. C.Gilmer, P. J.Tobin, A. C. Jones and H. C. Aspinall, Chem. Vap. Deposition, in press.
21. A. A. Molodyk, I. E. Korsakov, M. A. Novojilov, I. E. Graboy, A. R. Kaul and G. Wahl,Chem. Vap. Deposition, 2000, 6, 133.
22. S.-W. Kang and S.-W. Rhee, J. Electrochem Soc., 2002, 149, C345.
23. A. C. Jones and P. R. Chalker, J. Phys. D: Appl. Phys., 2003, 36, R80.
24. A. C. Jones, J. Mater. Chem., 2002, 12, 2576.
25. M. Kritikos, M. Wijk and G. Westin, Acta Crystallogr., Sect. C, 1198, 54, 576.
26. S. Mathur, M. I. Veith, H. Shen, S. Hufner and M. H. Jikvi, Chem. Mater., 2002, 14, 568.
27. S. Mathur, H. Shen, R. Rapalaviciute and A. Kareiva, J. Mater. Chem., 2004, 14, 3259.
28. M. Fleischer and H. Mexiner, Sens. Actuators, B, 1995, 26–27, 81.
29. M. Fleischer, L. Hollbauer and H. Mexiner, Sens. Actuators, B, 1994, 18–19, 119.
30. M. Ogita, K. Higo and Y. Hatanaka, Appl. Surf. Sci., 2001, 175, 721;
31. M. Fleischer, S. Kornely, T. Weh, J. Frank and H. Meixner, Sens. Actuators, B, 2000, 69,205.
32. M. Ogita, N. Saika, Y. Nakanishi and Y. Hatanaka, Appl. Surf. Sci., 1999, 142, 188.
33. T. Schwebel, M. Flesischer, H. Mexiner and C.-D. Kohl, Sens. Actuators, B, 1998, 49, 46
34. Y. Li, A. Trinchi, W. Wlodarski, K. Galatsis and K. Kalantar-Zadeh, Sens. Actuators, B,2003, 93, 431.
35. T. Miyata, T. Nakatkani and T. Minami, Thin Solid Films, 2000, 373, 145.
36. J. Hao and M. Cocivera, J. Phys. D: Appl. Phys., 2002, 35, 433.
37. L. Binet and D. Gourier, J. Phys. Chem. Solids, 1998, 59, 1241.
38. B.-E. Park and H. Ishiwara, Appl. Phys. Lett., 2001, 79, 806.
39. A. L. Petre, J. A. Peredigon-Melon, M. Hirano and H. Hosono, Thin Solid Films, 2002, 134,411.
40. A. L. Petre, A. Auroux, P. Gelin, M. Caldararu and N. I. Ionescu, Thermochim. Acta, 2001,379, 177.
41. C. O. Arean, A. L. Bellan, M. P. Menruit, M. R. Delagdo and G. T. Palomino, MicroporousMesoporous Mater., 2000, 40, 35.
42. L.Mˆıinea, S. Suh, S.G. Bott, J.-R.Liu,W.-K. Chuc andD.M. Hoffman, J. Mater. Chem.,1999, 9, 929.
43. G. A. Battison, R. Gerbasi, M. Porchia, R. Bertoncello and F. Caccavale, Thin Solid Films,1996, 279, 115.
44. B. Ballarin, G. A. Battison, F. Benetollo, R. Gerbasi, M. Porchia, D. Favretto and P. Traldi, Inorg. Chim. Acta, 1994, 217, 71.
45. Y. Chi, T.-Y. Chou, Y.-J. Wang, S.-F. Huang, A. J. Carty, L. Scoles, K. A. Udachin, S.-M.Peng and G.-H. Lee, Organometallics, 2004, 23, 95–103.
46. M. Valet and D. M. Hoffman, Chem. Mater., 2001, 13, 2135.
47. S. Basharat, C. J. Carmalt, S. J. King, E. S. Peters and D. A. Tocher, Dalton Trans., 2004,3475.

Back